1. 2N3904G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N3904G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 200mA 40V NPN

内部编号

277-2N3904G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:15000
1+¥3.5078
10+¥2.0898
50+¥1.0449
100+¥0.5224
500+¥0.4478
1000+¥0.3732
2000+¥0.3732
4000+¥0.2985
最小起订量:1
日本横滨
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#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#3

数量:198
最小起订量:1
加拿大温哥华
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2N3904G产品详细规格

规格书 2N3904G datasheet 规格书
2N3903, 04 Datasheet
文档 Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装 5,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 10mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 300MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
封装 Bulk
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
引脚数 3
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 300 MHz
删除 Compliant
直流电流增益 40
集电极电流(DC ) 0.2 A
Current,Collector 200mA
Current,Gain 30
PackageType TO-92
极性 NPN
PowerDissipation 1.5W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 83.3°C/W
类型 GeneralPurpose
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoBase 60V
Voltage,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 0.3V
Voltage,EmittertoBase 6V
RoHS指令 RoHS Compliant Part

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